我們的高性能 ALD 閥是世偉洛克長(cháng)期以來(lái)在半導體制造業(yè)中顯示出迅速積極的技術(shù)領(lǐng)導力的一個(gè)重要例子。ALD 閥技術(shù)問(wèn)世以來(lái)，世偉洛克與半導體行業(yè)的客戶(hù)密切合作，了解他們的需求，然后打造出 ALD 閥，提供必要的、高水平的精度、一致性、清潔度和高循環(huán)壽命，以跟上市場(chǎng)的快速創(chuàng )新步伐。我們的 ALD 超高純閥具有以下特點(diǎn)：

• 快速開(kāi)關(guān)下的超高循環(huán)壽命

• 流量系數從 0.27 至 1.7

• 使用耐熱執行機構時(shí)，可在 392°F (200°C) 下浸入

• 適合于采用標準 316L VIM-VAR 不銹鋼閥體的超高純應用

• 模塊化表面安裝、卡套管對焊和世偉洛克 VCR® 端接

• 電子或光學(xué)執行機構位置傳感選購件

  世偉洛克 ALD7 超高純隔膜閥是世偉洛克五十多年來(lái)支持半導體制造廠(chǎng)家和設備制造商所取得的原子層沉積 (ALD) 閥門(mén)技術(shù)的創(chuàng )新之作。這種高性能的半導體閥門(mén)使設備制造商和芯片制造廠(chǎng)家能夠通過(guò)實(shí)現流量一致性、流通能力、執行機構速度和高溫下的性能來(lái)克服當前生產(chǎn)工藝的限制，提高芯片產(chǎn)量。

  
  

• 為毫不妥協(xié)的精度而打造

• ALD7 具有更快的響應時(shí)間、高溫下的熱穩定性和更強的耐腐蝕性，在超高的循環(huán)壽命中，閥門(mén)與閥門(mén)、進(jìn)料與進(jìn)料及腔室與腔室之間的一致性能。

• 即使在非?？量痰脑映练e應用中，ALD7 也能在上億次的循環(huán)過(guò)程中提供精確的進(jìn)料

• 提升的執行機構技術(shù)使該半導體閥的運行速度比行業(yè)標準技術(shù)快，響應時(shí)間低至 5 ms

• 執行機構可浸入 150°C，而閥門(mén)的額定溫度為 200°C，可在高溫和真空條件下，提供一致的流量

• ALD7閥體由世偉洛克專(zhuān)有的超高純 316L VIM-VAR 不銹鋼構成，具備抵抗腐蝕性氣體的能力

• 更高的性能。更少的返工。

• 與現有的半導體閥相比，ALD7 可提供更好的流量，但占用空間保持不變。其緊湊的設計有助于半導體制造商在不進(jìn)行重大工藝改變的情況下，提升原有設備的生產(chǎn)力。

• ALD7 可提供高達 0.7 的流量系數 (Cv)，并實(shí)現不同腔體之間的精確、可重復的定量

• ALD7 保持了與世偉洛克符合行業(yè)標準的 ALD 閥相同的 1.5-in. 占用空間

• 該閥門(mén)擁有一個(gè)集成式熱隔離器，縮短了外形尺寸，使系統設計者能夠盡可能地利用反應腔室附近的有限空間

• 規格

• 工作壓力	真空至 145 psig (10.0 bar)
  爆裂壓力	>3200 psig (220 bar)
  執行壓力	60 至 120 psig（4.1 至 8.27 bar）
  溫度額定值	閥體從 32°F (0°C) 至 392°F (200°C) 執行機構從 32°F (0°C) 至 302°F (150°C)
  流量系數	0.7 Cv
  閥體材料	316L VIM-VAR 不銹鋼
  隔膜材料	鈷基高溫合金
  端接
  類(lèi)型	VCR® 接頭 卡套管對焊 1.5 in. 模塊化表面安裝高流量 C 型密封